特許
J-GLOBAL ID：200903072921429157
シリコン半導体基板の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307938
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115491
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】表面には十分な厚さのDZが形成され、このDZに近接してゲッタリング源となる高密度の酸素析出物が生じ、かつ内部には酸素析出物が少ないウェーハを安定して得るための急速昇降温熱処理方法を提供する。【解決手段】酸素濃度が11〜17×1017atoms/cm3(ASTM F121-79)のシリコン単結晶より採取した基板用素材を用い、窒素を90%以上含有する雰囲気で昇温して1100〜1280°Cで0〜600秒の加熱を施した後、酸素を10%以上含有する雰囲気に変更して100〜25°C/秒の冷却速度で降温することを特徴とするシリコン半導体用基板の熱処理方法である。
請求項（抜粋）：
酸素濃度が11〜17×1017atoms/cm3(ASTM F121-79)のシリコン単結晶より採取した基板用素材を用い、窒素を90%以上含有する雰囲気で1100〜1280°Cの温度まで昇温して0〜600秒の加熱を施した後、酸素を10%以上含有する雰囲気に変更して100〜25°C/秒の冷却速度で降温することを特徴とするシリコン半導体用基板の熱処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, H01L 21/26 F
