回り込み電流を阻止する共有デバイスを含むクロスポイントメモリアレイ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上野英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019411
公開番号（公開出願番号）：特開2002-304880
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【目的】MRAMなどの抵抗クロスポイントメモリセルアレイ中で、選択されていないメモリセルを流れる回り込み電流を阻止することによって、選択されているセルを流れる電流レベルをセンスアンプ24が判断しにくくなることがないようにする。【構成・作用】メモリセルのグループ毎に、ワード線14とグループ間に阻止用のダイオード22を設ける。

請求項（抜粋）：

以下の(a)及び(b)を設けた情報記憶装置:(a) メモリ素子の抵抗クロスポイントアレイ;(b) 前記メモリ素子のグループに結合されかつそれらによって共有される回り込み電流阻止デバイス。

IPC (4件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 A , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (8件)：

5F083BS37 , 5F083FZ10 , 5F083JA32 , 5F083JA33 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083LA12 , 5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (7件)

MRAM配列構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-253609 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-182937 出願人：三菱電機株式会社
磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-075168 出願人：株式会社東芝

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