特許
J-GLOBAL ID：200903067365517374

半導体装置の製造方法

発明者：
青木 秀充

青木 秀充 について

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富盛 浩昭

富盛 浩昭 について

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岡田 紀雄

岡田 紀雄 について

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宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について

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大音 光市

大音 光市 について

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谷國 敬理

谷國 敬理 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044949
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246391
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】銅配線の抵抗上昇を抑制しつつ配線寿命を向上させ、かつ、製造安定性を改善した半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】銅配線17上表面を窒素元素を含む原料ガスを用いてプラズマ処理することにより窒化銅層24を形成し、その後、シリコン窒化膜18を形成する。このとき、窒化銅層24の下部に薄い銅シリサイド層25を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に銅含有膜を形成する工程と、洗浄液を用いて前記銅含有膜表面の酸化銅を除去する工程と、酸化銅を除去した前記銅含有膜表面を窒化処理する工程と、窒化処理した前記銅含有膜上にシリコンを含む銅拡散防止膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3205 ,  C23C 8/48 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 644 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/318
FI (8件)：
C23C 8/48 ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 644 A ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/88 M
Fターム (63件)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS26 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX20 ,  5F043AA22 ,  5F043AA40 ,  5F043BB15 ,  5F043BB27 ,  5F043BB28 ,  5F043DD12 ,  5F043GG03 ,  5F043GG10 ,  5F058BA05 ,  5F058BB05 ,  5F058BC09 ,  5F058BD01 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BE01 ,  5F058BF07 ,  5F058BF51 ,  5F058BF61 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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