特許
J-GLOBAL ID：200903059328018225

窒化物半導体素子

発明者：
豊田 達憲

豊田 達憲 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223386
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】 発光素子全体に均一に電流を注入することができ、発光ムラがなく発光効率の高い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体と異なる異種基板上に少なくともn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子で、前記n型窒化物半導体層中に導電性薄膜が部分的に形成され、前記導電性薄膜とn電極を電気的に接続して形成されている。これにより、素子内の抵抗を低減することができ、発光ムラを最小限に抑制することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に少なくともn型窒化物半導体層、及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記n型窒化物半導体層中に少なくとも導電性薄膜が部分的に形成されており、前記p型窒化物半導体層側から露出された前記導電性薄膜の上面にn電極が電気的に接続して形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 R
Fターム (20件)：
4M104AA04 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD37 ,  4M104EE05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88
引用特許：
審査官引用 (12件)
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