特許
J-GLOBAL ID：200903073090551429

半導体集積回路装置

発明者：
伊藤 崇泰

伊藤 崇泰 について

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平木 充

平木 充 について

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堀口 真志

堀口 真志 について

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亀山 禎史

亀山 禎史 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-100526
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286678
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 CMOSプロセスに好適で、任意の温度勾配設定が可能な温度検出回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 エミッタに第1電流が流れるようにされた第1トランジスタ及びそれよりも小さな電流密度となるような第2電流がエミッタに流れるようにされた第2トランジスタの両エミッタ電圧の差分を第1抵抗に印加する。上記第2トランジスタのエミッタと回路の接地電位との間に第2抵抗を設け、上記第1、第2トランジスタのコレクタと電源電圧との間にそれぞれ第3抵抗と第4抵抗を設け、上記第1トランジスタのコレクタ電圧と上記第2トランジスタのコレクタ電圧を受けて、それらが等しくなるような出力電圧を形成して上記第1、第2トランジスタのベースに共通に供給し、上記第1抵抗と第2抵抗との接続点から温度検出電圧を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エミッタに第1電流が流れるようにされた第1トランジスタと、 上記第1トランジスタのエミッタの電流密度よりも小さな電流密度となるような第2電流がエミッタに流れるようにされた第2トランジスタと、 上記第1トランジスタのエミッタと第2トランジスタのエミッタ間に設けられた第1抵抗と、 上記第1トランジスタのエミッタと回路の接地電位との間に設けられた第2抵抗と、 上記第1トランジスタのコレクタと電源電圧との間に設けられた第3抵抗と、 上記第2トランジスタのコレクタと上記電源電圧との間に設けられた第4抵抗と、 上記第1トランジスタのコレクタ電圧と上記第2トランジスタのコレクタ電圧とを受けて両者が等しくなるような出力電圧を形成するとともに、かかる出力電圧を上記第1トランジスタと第2トランジスタのベースに共通に供給する差動増幅回路とを備え、 上記第1抵抗と第2抵抗との接続点から温度検出電圧を形成する温度検出回路を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L27/04 B ,  H01L27/08 331C ,  H01L27/08 321B ,  H01L27/08 321A
Fターム (32件)：
5F038AR21 ,  5F038AR28 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB02 ,  5F038BB05 ,  5F038BB08 ,  5F038BG03 ,  5F038BH16 ,  5F038CA08 ,  5F038DF03 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB08 ,  5F048AB10 ,  5F048AC05 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB05 ,  5F048BB14 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BG13 ,  5F048BH01 ,  5F048CA04 ,  5F048CA05 ,  5F048CA07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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