特許
J-GLOBAL ID：200903073113159041

高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
金生 剛

金生 剛 について

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武田 隆信

武田 隆信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076543
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254494
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【解決手段】繰り返し単位aと、置換可ヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位bを有する下記一般式(1)で示される、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。(式中、R1、R3は水素原子又はメチル基を表し、R2は酸不安定基、R4は水素原子、アセチル基、アルキル基、又は酸不安定基である。m、nは1又は2である。0<a/(a+b)≦0.7、0<b/(a+b)<1.0の範囲である。)【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
繰り返し単位aと、置換可ヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位bを有する下記一般式(1)で示される、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物。
IPC (3件)：
C08F 212/14 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
C08F212/14 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (55件)：
2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB01R ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AL08R ,  4J100AR09R ,  4J100AR10R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03H ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA06P ,  4J100BA06Q ,  4J100BA06R ,  4J100BA11R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BA50R ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC43R ,  4J100BC59R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA31 ,  4J100DA01 ,  4J100DA28 ,  4J100HA08 ,  4J100HA61 ,  4J100HC27 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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