特許
J-GLOBAL ID:200903031367112970
ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-039360
公開番号(公開出願番号):特開2006-225476
出願日: 2005年02月16日
公開日(公表日): 2006年08月31日
要約:
【課題】従来のポジ型レジスト材料と同等か若しくはこれを上回るほど高感度、高解像度であるとともに、特に高反射基板上でのパターン形状が良好で、定在波の発生が軽減され、エッジラフネスが少ない特性を示すポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】少なくとも、ベース樹脂に含まれる高分子化合物が、波長248nmの光において吸収のある酸不安定基を有する繰り返し単位を含むものであり、且つ、該繰り返し単位が、前記ベース樹脂に含まれる全ての高分子化合物の繰り返し単位中、1%〜10%の割合で含まれるものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
少なくとも、ベース樹脂に含まれる高分子化合物が、波長248nmの光において吸収のある酸不安定基を有する繰り返し単位を含むものであり、且つ、該繰り返し単位が、前記ベース樹脂に含まれる全ての高分子化合物の繰り返し単位中、1%〜10%の割合で含まれるものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (5件):
C08F 246/00
, C08F 212/14
, C08F 220/18
, G03F 7/039
, H01L 21/027
FI (5件):
C08F246/00
, C08F212/14
, C08F220/18
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (29件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CB51
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AB07P
, 4J100AL02R
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA04S
, 4J100BA07Q
, 4J100BA07S
, 4J100BA20P
, 4J100DA39
, 4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (6件)
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特公平2-27660号公報
-
特開昭63-27829号公報
-
特開平3-275149号公報、
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審査官引用 (5件)
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