特許
J-GLOBAL ID：200903073185548832
エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
北村 修一郎
, 山▲崎▼ 徹也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-133133
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310180
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】 可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成する。【解決手段】 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ArガスとO2ガスとN2ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバーW内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、そのスパッタ法によるパッシベーション膜の成膜条件を、Arガスの供給流量を5〜100sccm(8.45×10-3〜1.69×10-1Pa・m3/s)、O2ガスの供給流量を0〜50sccm(0〜8.45×10-2Pa・m3/s)、N2ガスの供給流量を0〜40sccm(0〜6.76×10-2Pa・m3/s)、真空チャンバーW内の真空度を0.01〜10Paとしてある。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板の一方側に、第1電極、発光層を含む導電性層、第2電極の順に形成し、前記導電性層を保護するパッシベーション膜をアモルファス窒化炭素にて形成してあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記パッシベーション膜は、ターゲット材料として炭素を用い、ArガスとO2ガスとN2ガスとを含む混合ガスをスパッタガスとして真空チャンバー内に供給し、スパッタ法により成膜するようにしてあり、
そのスパッタ法による前記パッシベーション膜の成膜条件を、Arガスの供給流量を5〜100sccm(8.45×10-3〜1.69×10-1Pa・m3/s)、O2ガスの供給流量を0〜50sccm(0〜8.45×10-2Pa・m3/s)、N2ガスの供給流量を0〜40sccm(0〜6.76×10-2Pa・m3/s)、前記真空チャンバー内の真空度を0.01〜10Paとしてあるエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (5件)：
H05B 33/10
, C23C 14/06
, C23C 14/34
, H05B 33/04
, H01L 51/50
H05B33/10
, C23C14/06 A
, C23C14/06 B
, C23C14/34 N
, C23C14/34 R
, H05B33/04
, H05B33/14 A
3K007AB13
, 3K007AB14
, 3K007AB18
, 3K007BA07
, 3K007BB02
, 3K007DB03
, 3K007FA02
, 3K007FA03
, 4K029BA55
, 4K029BA58
, 4K029BA62
, 4K029BC00
, 4K029BD00
, 4K029CA06
, 4K029DC02
, 4K029DC03
, 4K029EA04
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
