特許
J-GLOBAL ID：200903073207825371

半導体装置及びその製造方法

発明者：
ジョン・トワイナム

ジョン・トワイナム について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066926
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281454
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】III-V族化合物半導体素子を低電圧の電源で動作させることができて低コストで高機能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Siオフ基板100上には、SiCMOSスイッチングトランジスタ107を形成すると共に、GaNバッファ層90を介してAlGaN・GaN電界効果トランジスタ103を一体に形成している。AlGaN・GaN電界効果トランジスタ103の少なくとも一つの端子に電圧をDC-DCコンバータ102で印加する。DC-DCコンバータ102の一部はSiCMOSスイッチングトランジスタ107で構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Si基板と、 上記Si基板上に形成されたSi系トランジスタと、 上記Si基板上にIII-V族化合物バッファ層を介して一体に形成されたIII-V族化合物半導体素子と、 上記III-V族化合物半導体素子の少なくとも一つの端子に電圧を印加するDC-DCコンバータとを備え、 上記DC-DCコンバータの少なくとも一部が上記Si系トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L21/822 ,  H01L21/20 ,  H01L27/04 ,  H01L27/095 ,  H01L29/26 ,  H01L31/10 ,  H01S5/026
FI (6件)：
H01L27/04 U ,  H01L21/20 ,  H01L29/26 ,  H01S5/026 650 ,  H01L31/10 G ,  H01L29/80 E
Fターム (40件)：
5F038BB04 ,  5F038DF01 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F049MB07 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049UA11 ,  5F052JA01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F073AB14 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F102FA00 ,  5F102GA15 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (11件)
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