マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202071
公開番号（公開出願番号）：特開2003-287875
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】マスクの製造時間を短縮する。【解決手段】遮光体をレジスト膜で構成するマスクRMの欠陥検査において、異物検査装置CISを用い、マスクRMに照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取ることにより、マスクRM上のレジストパターンの捲れ、膜べり、異物等のような欠陥の有無を検査する。すなわち、マスクRMの検査において、多くの測定時間と高度な技術が要求される比較検査を行わないで、欠陥検査を行うことができる。したがって、マスクRMの検査工程を簡略化でき、また、マスクの検査時間を短縮できる。

請求項（抜粋）：

露光光に対する遮光体をレジスト膜で構成するマスクの検査において、比較検査せずに、マスクに照射された検査光に対する反射光、透過光またはその両方の光学情報を読み取ることで前記マスクを検査する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G03F 1/14 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 1/08 S , G03F 1/08 J , G03F 1/08 T , G03F 1/14 J , G03F 1/14 Z , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P

Fターム (9件)：

2H095BC01 , 2H095BC05 , 2H095BC08 , 2H095BC31 , 2H095BD03 , 2H095BD04 , 2H095BD08 , 2H095BD15 , 2H095BD31

引用特許：

審査官引用 (7件)

異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-004923 出願人：株式会社日立製作所
ホトマスクおよび半導体集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-148577 出願人：株式会社日立製作所
光学素子及び光学素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-272844 出願人：株式会社日立製作所

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