特許
J-GLOBAL ID：200903073354574520

三軸磁気センサおよびその製造方法

発明者：
佐藤 秀樹

佐藤 秀樹 について

, 
大村 昌良

大村 昌良 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (5件)： 鈴木 隆盛 ,  浅見 保男 ,  高橋 英生 ,  武山 吉孝 ,  祖父江 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089308
公開番号（公開出願番号）：特開2006-308573
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】 1チップ内に作製できる構造の三軸磁気センサを提供する。【解決手段】 複数の磁気抵抗効果素子バーがバイアス磁石により直列接続されて磁気抵抗効果素子が形成され、X軸センサの磁気抵抗効果素子21〜24およびY軸センサの磁気抵抗効果素子31〜34は基板の平面に対して平行な平面上に形成されていて、磁化の感度方向は各磁気抵抗効果素子バーの長手方向に対して垂直方向であって、X軸センサの磁気抵抗効果素子21〜24とY軸センサの磁気抵抗効果素子31〜34の磁化の向きが互いに直交するように形成されている。さらに、Z軸センサの磁気抵抗効果素子41〜44は基板11の平面から突出して設けられた突部15の斜面上に形成されていて磁化の向きは該斜面内になるように形成されているとともに、磁化の感度方向は当該磁気抵抗効果素子バーの長手方向に対して垂直方向になるように形成されている【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数のピンド層を有する磁気抵抗効果素子がブリッジ接続されたX軸センサと、複数のピンド層を有する磁気抵抗効果素子がブリッジ接続されたY軸センサと、複数のピンド層を有する磁気抵抗効果素子がブリッジ接続されたZ軸センサとを1つの基板内に備えた三軸磁気センサであって、 前記磁気抵抗効果素子は1つの磁気抵抗効果素子バーもしくは複数の磁気抵抗効果素子バーが直列接続されて形成されたものからなり、 前記X軸センサの磁気抵抗効果素子および前記Y軸センサの磁気抵抗効果素子は前記基板の平面に対して平行な平面上に形成されていて、その感度方向は各磁気抵抗効果素子バーの長手方向に対して垂直方向であって、前記X軸センサの磁気抵抗効果素子と前記Y軸センサの磁気抵抗効果素子のピンド層の磁化の向きが互いに直交するように形成されており、 前記Z軸センサの磁気抵抗効果素子は前記基板に設けられた斜面上に形成されていてピンド層の磁化の向きは該斜面内になるように形成されているとともに、その感度方向は当該磁気抵抗効果素子バーの長手方向に対して交差するように形成されていることを特徴とする三軸磁気センサ。
IPC (4件)：
G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/02
FI (4件)：
G01R33/06 R ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  G01R33/02 L
Fターム (4件)：
2G017AA03 ,  2G017AA16 ,  2G017AC06 ,  2G017AD54
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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