特許
J-GLOBAL ID：200903073405745154

パターン形成材料及びパターン形成方法

発明者：
岸村 眞治

岸村 眞治 について

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笹子 勝

笹子 勝 について

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遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

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白井 正充

白井 正充 について

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角岡 正弘

角岡 正弘 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-090999
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：
【要約】【課題】 1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 [化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する。【化1】【化2】(但し、R1 及びR2 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又は塩素原子を含むアルキル基であり、R3 、R4 、R5 及びR6 は、水素原子又はフッ素原子であって、R3 、R4 、R5 及びR6 のうちの少なくとも1つはフッ素原子であり、R7 は、酸により脱離する保護基である。)次に、レジスト膜に対して、1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
[化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料。【化1】【化2】(但し、R1 及びR2 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又は塩素原子を含むアルキル基であり、R3 、R4 、R5 及びR6 は、水素原子又はフッ素原子であって、R3 、R4、R5 及びR6 のうちの少なくとも1つはフッ素原子であり、R7 は、酸により脱離する保護基である。)
IPC (7件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/42 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 ,  C08L 33/18 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/42 ,  C08K 5/36 ,  C08L 25/18 ,  C08L 33/18 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (46件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF04 ,  2H025BF08 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  4J002BC121 ,  4J002BG031 ,  4J002BG071 ,  4J002BG111 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07Q ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08R ,  4J100AM02P ,  4J100AM03P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA20Q ,  4J100BA20R ,  4J100BA22Q ,  4J100BA72Q ,  4J100BA72R ,  4J100BB07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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