特許
J-GLOBAL ID：200903073572597833

エネルギーデバイス及びその製造方法

発明者：
本田 和義

本田 和義 について

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大石 毅一郎

大石 毅一郎 について

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美藤 靖彦

美藤 靖彦 について

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中本 貴之

中本 貴之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322516
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183366
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備え、サイクル特性の良好なエネルギーデバイスを提供する。【解決手段】それぞれからの成膜粒子の一部が相互に混合されるように、集電体の主成分元素を含む補助成膜源52及び負極活物質薄膜を形成するための負極活物質成膜源51を隣り合わせて配置する。集電体5を、補助成膜源52側から負極活物質成膜源51側に向かって相対的に移動させて、集電体5上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜を真空成膜法により形成することにより、負極活物質薄膜と集電体との界面に、集電体の主成分元素及び負極活物質を構成するシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層を作成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜を真空成膜法により形成するエネルギーデバイスの製造方法であって、 それぞれからの成膜粒子の一部が相互に混合されるように隣り合わせて配置された、前記集電体の主成分元素を含む補助成膜源及び前記負極活物質薄膜を形成するための負極活物質成膜源に対して、前記集電体を、前記補助成膜源側から前記負極活物質成膜源側に向かって相対的に移動させることを特徴とするエネルギーデバイスの製造方法。
IPC (5件)：
H01M4/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/66 ,  H01M10/40
FI (5件)：
H01M4/04 A ,  H01M4/02 D ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/66 A ,  H01M10/40 Z
Fターム (41件)：
5H017AA03 ,  5H017AS01 ,  5H017CC01 ,  5H017EE01 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029AL02 ,  5H029AL11 ,  5H029AL18 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029AM16 ,  5H029BJ02 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ12 ,  5H029DJ16 ,  5H029EJ04 ,  5H029EJ12 ,  5H029HJ12 ,  5H050AA07 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB02 ,  5H050CB11 ,  5H050CB29 ,  5H050DA07 ,  5H050EA08 ,  5H050EA24 ,  5H050FA12 ,  5H050FA17 ,  5H050GA10 ,  5H050GA24 ,  5H050HA13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (11件)
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