特許
J-GLOBAL ID：200903073642372060
薄膜の製造方法および太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小池 隆彌
, 木下 雅晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-391667
公開番号（公開出願番号）：特開2005-154795
出願日： 2003年11月21日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 高い変換効率を有する太陽電池を効率良く作製し得る薄膜の製造方法とその方法を用いて作製された薄膜を含む太陽電池を提供する。【解決手段】 シリコン基板に水素を導入する工程と、シリコン基板の表面温度が350°C以上500°C以下となるようにシリコン基板を加熱する工程と、350°C以上500°C以下のシリコン基板の表面に薄膜の原料を含む溶液を噴霧する工程とを含む薄膜の製造方法である。ここで、シリコン基板に水素を導入する方法は、プラズマ法、フォーミングガスアニール法およびCat-CVD法からなる群から選択されたいずれか1つの水素を含むガスまたは水素ガスを用いる方法であり得る。また、本発明は、上記の薄膜の製造方法を用いて作製された薄膜を含む太陽電池に関する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板に水素を導入する工程と、シリコン基板の表面
温度が350°C以上500°C以下となるようにシリコン基板を加熱する工程と、
350°C以上500°C以下のシリコン基板の表面に薄膜の原料を含む溶液を噴霧
する工程とを含む薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
4K030AA11
, 4K030BA46
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030LA16
, 5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051CB20
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051FA10
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051HA03
出願人引用 (7件)
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特開昭58-23486号公報
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薄膜形成装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-202668
出願人：株式会社メイク, 金子正治
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酸化スズ(IV)膜の成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-150366
出願人：株式会社河合楽器製作所
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