特許
J-GLOBAL ID:200903073662820647

圧電素子及びそれを用いた液体吐出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-209563
公開番号(公開出願番号):特開2009-071295
出願日: 2008年08月18日
公開日(公表日): 2009年04月02日
要約:
【課題】良好な圧電特性を有し、簡易なプロセスにて製造可能とする圧電素子を提供する。【解決手段】圧電素子は、プラズマを用いる気相成長法により、基板上に電極を介して圧電膜が成膜されている。圧電膜は1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物(不可避不純物を含んでいてもよい)であって、基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状結晶体17からなる柱状構造膜13からなる。柱状構造膜13の表面において観測される多数の柱状結晶体17の端面17sが、端面17sの最小の外接円の径rが100nm以下から500nm以上に亘って分布する大きさを有しており、かつ外接円の径rが100nm以下のものを20%以上、500nm以上のものを5%以上含むものであり、柱状構造膜13の表面粗さRaが10nm以下である。【選択図】図2
請求項(抜粋):
プラズマを用いる気相成長法により、基板上に電極を介して圧電膜が成膜されてなる圧電素子において、 前記圧電膜が、下記一般式で表される1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物(不可避不純物を含んでいてもよい)であって前記基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状結晶体からなる柱状構造膜からなり、 該柱状構造膜の表面において観測される前記多数の柱状結晶体の端面が、該端面の最小の外接円の径が100nm以下から500nm以上に亘って分布する大きさを有しており、かつ該外接円の径が100nm以下のものを20%以上、500nm以上のものを 5%以上含むものであり、 前記柱状構造膜の表面粗さRaが10nm以下であることを特徴とする圧電素子。 Pb(Tix,Zry,Mz)O3 (上記式中、Mは、Sn,Nb,Ta,Mo,W,Ir,Os,Pd,Pt,Re,Mn,Co,Ni,V,及びFeからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素であり、0<x<1,0<y<1,0≦z<1,x+y+z=1である。)
IPC (8件):
H01L 41/24 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/09 ,  C23C 14/08 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/01
FI (8件):
H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  C23C14/08 K ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H ,  B41J3/04 101Z
Fターム (22件):
2C056EA24 ,  2C056FA04 ,  2C056HA16 ,  2C056HA17 ,  2C057AF93 ,  2C057AG39 ,  2C057AG42 ,  2C057AG43 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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