特許
J-GLOBAL ID：200903073682032890
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081688
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282926
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 表面電流を容易にかつ効果的に抑制し得る新たなる構造が付与された受光素子を提供すること。【解決手段】 波長450nm以下の光を受光対象光とする半導体受光素子である。当該受光素子は、半導体結晶層1、2からなる積層構造を有し、該積層構造には受光対象光を受光し得る受光層2が含まれている。該積層構造のうちの入射面および少なくとも表面電流の経路となり得る側面に、該受光対象光の反射を抑制しかつ透過させる誘電体膜Aを設けることによって、表面電流を容易にかつ効果的に抑制することが可能になる。
請求項（抜粋）：
波長450nm以下の光を受光対象光とする半導体受光素子であって、当該受光素子は、半導体結晶層からなる積層構造を有し、該積層構造には受光対象光を受光し得る受光層が含まれており、該積層構造のうちの入射面および少なくとも表面電流の経路となり得る側面に、該受光対象光の反射を抑制しかつ透過させる誘電体膜が設けられていることを特徴とする、半導体受光素子。
Fターム (10件)：
5F049MA04
, 5F049MA05
, 5F049MB01
, 5F049MB02
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NA05
, 5F049NB07
, 5F049SZ12
, 5F049WA05
