特許
J-GLOBAL ID：200903073697430175
圧電体デバイス、液体吐出ヘッド、強誘電体デバイス及び電子機器並びにこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-380102
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179642
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】 結晶配向が所望の向きに揃えられた圧電体膜又は強誘電体膜を備えた圧電体デバイス又は強誘電体デバイスを効率良く製造する方法を提供する。 【解決手段】 基板(11、52)の上にイオンビームアシスト法で中間膜であるバッファ層(12)又は振動板(53)を形成し、前記中間膜上に下部電極(13、542)を形成し、前記下部電極上に強誘電体膜(24)又は圧電体膜(543)を形成し、前記強誘電体膜又は圧電体膜上に上部電極(25、541)を形成する。下部電極、強誘電体膜又は圧電体膜は、エピタキシャル成長によって形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一部にイオンビームアシスト法を用いることで基板上に中間膜を形成し、前記中間膜上に下部電極を形成し、前記下部電極上に圧電体膜を形成し、前記圧電体膜上に上部電極を形成する、圧電体デバイスの製造方法。
IPC (9件)：
H01L41/22
, B41J2/16
, C23C14/28
, H01L27/105
, H01L41/08
, H01L41/09
, H01L41/187
, H01L41/24
, H02N2/00
H01L41/22 Z
, C23C14/28
, H02N2/00 B
, H01L27/10 444Z
, H01L41/22 A
, H01L41/18 101J
, H01L41/18 101D
, H01L41/08 J
, H01L41/08 D
, B41J3/04 103H
2C057AF93
, 2C057AG44
, 2C057AG47
, 2C057AP14
, 2C057AP51
, 2C057BA04
, 2C057BA14
, 4K029AA06
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 5F083FR01
, 5F083GA10
, 5F083HA02
, 5F083JA02
, 5F083JA06
, 5F083JA19
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA45
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083NA01
, 5F083NA02
, 5F083PR22
, 5F083PR25
, 5F083PR43
, 5F083PR44
, 5F083PR45
, 5F083PR53
, 5F083PR54
, 5F083PR55
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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