特許

J-GLOBAL ID：200903073703786963

半導体装置

発明者： 前田 敏 ,  関根 康 ,  渡邉 哲也
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-068807
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224637
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：

【課題】容量素子を有する半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体基板1上に、配線M1〜M5の櫛型形状の金属パターンで電極を形成したMIM型の容量素子が形成される。容量素子の下方には、CMP工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン8bと、ダミーの活性領域である活性領域1bとが配置され、これらは配線M1〜M5からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。そして、導体パターン8bおよび活性領域1bは、配線M1〜M5の櫛型形状の金属パターンと平面的に重ならないように配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1MISFETが形成される第1領域および第1容量素子が形成される第2領域を有する半導体基板と、 前記半導体基板に形成され、絶縁体が埋め込まれた溝と、 前記半導体基板の前記第1領域に形成され、前記溝で規定された第1活性領域と、 前記第1活性領域上に形成された第1ゲート電極と、 前記第1ゲート電極を覆うように前記半導体基板上に形成され、上面が平坦化された第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜よりも上層の第1配線層により前記第2領域に形成された、第1金属パターン、第2金属パターン、および前記第1および第2金属パターンの周囲に設けられて固定電位に接続される第3金属パターンと、 を有する半導体装置であって、 前記第1金属パターンは前記第1容量素子の一方の電極を形成し、 前記第2金属パターンは前記第1容量素子の他方の電極を形成し、 前記第1容量素子の下方の前記半導体基板の前記第2領域に、前記溝で規定された第2活性領域が形成され、 前記第1容量素子の下方の前記半導体基板の前記第2領域上に、前記第1ゲート電極と同層の第1導体パターンが形成され、 前記第1導体パターンおよび前記第2活性領域が前記第3金属パターンに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (4件)：

H01L27/04 C ,  H01L27/04 H ,  H01L21/88 K ,  H01L21/88 S

Fターム (48件)：

5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK25 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033VV02 ,  5F033VV10 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038CA09 ,  5F038CA18 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-000976   出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社ルネサスデバイスデザイン
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-069694   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体集積回路の自動配置配線方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-089347   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-265500   出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-265500   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-033388   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-386373   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-000976   出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社ルネサスデバイスデザイン