特許
J-GLOBAL ID：200903073743215489

塗布処理方法及び塗布処理装置

発明者：
福田 喜輝

福田 喜輝 について

, 
井関 智弘

井関 智弘 について

, 
石井 貴幸

石井 貴幸 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-266821
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086189
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 レジスト液の塗布からウェハ周縁部上のレジスト膜の除去までの一連のレジスト塗布処理をより短時間で行う。【解決手段】 レジスト塗布装置20に,レーザ光を照射するレーザ照射部173を設ける。レジスト塗布処理時には,回転されたウェハWの中心部にレジスト液供給ノズル133によりレジスト液が吐出され,ウェハW上にレジスト膜が形成される。その後,レーザ照射部173がウェハWの外周部上に移動し,外周部上のレジスト膜にレーザ光が照射され,当該外周部上のレジスト膜が乾燥される。外周部上のレジスト膜が乾燥すると,引き続きレーザ光の照射が継続され,溶剤供給ノズル150がウェハWの周縁部上まで移動し,ウェハWの周縁部上のレジスト膜に溶剤が供給される。この溶剤の供給により,ウェハWの周縁部上のレジスト膜が溶解し除去される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に塗布液を供給し,基板上に塗布膜を形成する工程と, その後,基板の外周部上の塗布膜に熱を供給して当該外周部上の塗布膜を乾燥する工程と, その後,前記基板の外周部上の塗布膜に引き続き熱を供給しながら,当該熱が供給されている領域における外側の基板の周縁部上の塗布膜に塗布膜の溶剤を供給して当該周縁部上の塗布膜を除去する工程と,を有することを特徴とする,塗布処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  B05D 3/02 ,  B05D 3/10 ,  G03F 7/16
FI (6件)：
H01L21/30 577 ,  B05C11/08 ,  B05D3/02 Z ,  B05D3/10 N ,  G03F7/16 502 ,  H01L21/30 564C
Fターム (28件)：
2H025AB16 ,  2H025EA05 ,  2H025EA10 ,  4D075AC64 ,  4D075BB20Z ,  4D075BB24Z ,  4D075BB37Z ,  4D075BB69Z ,  4D075CA47 ,  4D075DA08 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4F042AA07 ,  4F042BA08 ,  4F042CC04 ,  4F042CC10 ,  4F042DB20 ,  4F042DB52 ,  4F042EB05 ,  4F042EB09 ,  4F042EB18 ,  5F046JA02 ,  5F046JA09 ,  5F046JA15 ,  5F046JA16 ,  5F046JA24
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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