特許
J-GLOBAL ID：200903073820379007

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

発明者：
小澤 美和

小澤 美和 について

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野崎 耕司

野崎 耕司 について

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並木 崇久

並木 崇久 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291910
公開番号（公開出願番号）：特開2006-106295
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 エキシマレーザー光をも利用可能であり、保存安定性に優れ、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件変化や保存期間の長短にかかわらず均一かつ一定に、しかも精度よくコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率良く形成可能なレジストパターンの形成方法の提供。【解決手段】 被加工面上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン上にレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化して厚肉化レジストパターンを形成する工程と、該厚肉化レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターニングを行う工程とを含み、前記レジストパターン厚肉化材料が、少なくとも樹脂を含んでなり、レジストパターンに塗布時乃至塗布後におけるpHが7超14以下である半導体装置の製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レジストパターンに塗布されて該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン厚肉化材料であって、少なくとも樹脂を含んでなり、レジストパターンに塗布時乃至塗布後におけるpHが7超14以下であることを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
IPC (2件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570
Fターム (6件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  2H096HA11 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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