特許
J-GLOBAL ID：200903082174416356
微細パターン形成材料、微細レジストパターン形成方法及び電子デバイス装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
鐘尾 宏紀
, 野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-245333
公開番号（公開出願番号）：特開2006-064851
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】レジストパターン上に微細パターン形成材料を塗布して架橋被覆層を形成し、実効的にレジストパターンの分離サイズ又はホール開口サイズの縮小を行い、レジストパターンの微細化を図る方法において、微細パターン形成材料に含まれる水溶性架橋剤の量を増減させることなく、また加熱温度を増減させることなく、架橋被覆層の膜厚の制御を行うとともに、微細パターン形成材料の塗布性を改善する。【解決手段】ポリビニルアルコール誘導体などからなる水溶性樹脂、メラミン誘導体、尿素誘導体などからなる水溶性架橋剤、アミン化合物、非イオン性界面活性剤及び水又は水と水溶性有機溶媒との混合溶液であって、該溶液のpHが7を越える微細パターン形成材料を、レジストパターン3上に塗布し、被覆層4を形成し、加熱後現像して架橋被覆層5を形成する。第2級アミン化合物及び/又は第3級アミン化合物の使用により、アミンを添加しない場合に比べ架橋被覆層の膜厚は増大し、第4級アミンの使用により架橋被覆層の膜厚は減少する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レジストパターン上に塗布し熱処理により架橋反応を生じ、現像処理を行うことにより、前記レジストパターンに架橋被覆層を形成する材料であって、水又は水と水溶性有機溶媒の混合液を溶媒とし、水溶性樹脂、水溶性架橋剤とアミン化合物を添加し、アミン添加前に比べ架橋被覆層の膜厚を増減制御でき、溶液のpHが7を超えることを特徴とする微細パターン形成材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 502R
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA05
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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