特許
J-GLOBAL ID：200903073858691004
半導体記憶装置用の読み出し増幅器構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-572578
公開番号（公開出願番号）：特表2004-522242
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
半導体記憶装置(1)用の読み出し増幅器構造(10)に関して、補正電流(Icomp)を発生でき、それに接続されたビット線(4)に供給できる補正電流源装置(30)が備えられている。また、この補正電流(Icomp)の選択は、読み出し工程の間に、電位の変化が生じ、および/または、この電位の変化を、時間が経ってもほぼ一定な選択されて相互に連結されたビット線装置(4)上の補正電圧ソース装置(20)と協働して維持できるように行われる。
請求項（抜粋）：
複数の記憶素子(3)からなる記憶領域(2)を有する記憶装置用の読み出し増幅器構造であって、
駆動中に、記憶領域(2)にある選択された記憶セル(3)のビット線装置(4)および/またはワード線装置(6)からなる選択されたアクセス配線装置(4,6)と接続されるように設計されおり、これによって、記憶領域(2)内の少なくとも1つの選択された記憶素子(3)の記憶状態を検出する入力領域(12)と、
駆動中に、検出された記憶状態を示す出力信号(Iout)を出力できる出力領域(14)と、
駆動中に、選択されなかった記憶領域(2 ́)に関連のある選択されたアクセス配線装置(4,6)に印加されている電圧を制御するために形成されている、補正電圧源装置(20)とを備えた読み出し増幅器構造において、
補正電流源装置(30)が備えられ、
上記補正電流源装置(30)を介して、駆動中に補正電流(Icomp)を発生させることができ、それを、アクセス配線装置(4,6)のうちの少なくとも1つに供給でき、
上記補正電流(Icomp)の時間的経過曲線を選択することによって、駆動中に、補正電圧源装置(20)と相互作用して、選択されなかった記憶領域(2 ́)に関連のある、選択されたアクセス配線装置(4,6)に、時間が経ってもほぼ一定である電位差を発生させられることを特徴とする読み出し増幅器構造。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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データ判定回路およびデータ判定方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-163695
出願人：ソニー株式会社
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演算増幅器
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-329103
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
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磁気的メモリ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-327740
出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
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審査官引用 (3件)
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データ判定回路およびデータ判定方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-163695
出願人：ソニー株式会社
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演算増幅器
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-329103
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
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磁気的メモリ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-327740
出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
引用文献：
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