半導体用高耐圧層間絶縁膜材料とそれを用いた半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318757
公開番号（公開出願番号）：特開2000-143990
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】無機系層間絶縁膜材料では達成できない絶縁耐圧を確保する。【解決手段】特定構造を有し、重量平均分子量が1000以上であるシリコーンラダー系樹脂からなるシリコーンラダー系樹脂組成物を半導体の層間絶縁膜材料として用いる。

請求項（抜粋）：

一般式(1):【化1】(式中、R1およびR2はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり同種でも異種でもよく、R3、R4、R5およびR6は水素原子、アリール基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり同種でも異種でもよく、nは整数である)で表わされ、重量平均分子量が1000以上であり、側鎖のR1およびR2に長鎖アルキル基やアリール基の導入比率を増大し厚膜形成を可能にしたシリコーンラダー系樹脂からなるシリコーンラダー系樹脂組成物。

IPC (4件)：

C08L 83/06 , C08K 5/54 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (4件)：

C08L 83/06 , C08K 5/54 , H01L 21/312 C , H01L 21/90 S

Fターム (26件)：

4J002CP051 , 4J002CP091 , 4J002CP141 , 4J002CP161 , 4J002EX026 , 4J002EX036 , 4J002EX066 , 4J002EX076 , 4J002EX086 , 4J002FD206 , 4J002GQ01 , 4J002GQ05 , 5F033HH08 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033KK08 , 5F033RR23 , 5F033RR27 , 5F033XX17 , 5F058AA02 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (12件)

宇宙用構造材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-071174 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-140710 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-142069

全件表示

前のページに戻る