特許
J-GLOBAL ID:200903017480186511
SOI高耐圧電力デバイス
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-323398
公開番号(公開出願番号):特開2000-150501
出願日: 1998年11月13日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 無機系層間絶縁膜材料では達成できない絶縁耐圧を確保する。【解決手段】 SOI高耐圧電力デバイスの層間絶縁膜に、シリコーンラダー系樹脂膜を用いて、多層配線構造の耐圧性を確保する。
請求項(抜粋):
層間絶縁膜に、シリコーンラダー系樹脂膜を用いて、多層配線構造の耐圧性を確保したことを特徴とするSOI高耐圧電力デバイス。
IPC (4件):
H01L 21/312
, C08L 83/04
, H01L 21/768
, H01L 29/786
FI (4件):
H01L 21/312 D
, C08L 83/04
, H01L 21/90 S
, H01L 29/78 619 A
Fターム (62件):
4J002CH052
, 4J002CP031
, 4J002EA049
, 4J002EA069
, 4J002ED039
, 4J002EE019
, 4J002EE038
, 4J002EE048
, 4J002EE059
, 4J002EJ029
, 4J002EL099
, 4J002EN029
, 4J002EN079
, 4J002EN099
, 4J002EN109
, 4J002EN119
, 4J002EQ017
, 4J002EQ037
, 4J002ES009
, 4J002EU029
, 4J002EU199
, 4J002EV287
, 4J002EV307
, 4J002EV308
, 4J002EV317
, 4J002EV347
, 4J002EW148
, 4J002EX016
, 4J002EX036
, 4J002EX066
, 4J002EX076
, 4J002EX086
, 4J002FD147
, 4J002GQ00
, 5F033HH08
, 5F033JJ08
, 5F033KK08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ19
, 5F033QQ54
, 5F033QQ74
, 5F033QQ84
, 5F033RR23
, 5F033SS22
, 5F033VV00
, 5F033WW00
, 5F033XX00
, 5F033XX02
, 5F058AA10
, 5F058AB04
, 5F058AC03
, 5F058AC07
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AG09
, 5F058AH02
, 5F110AA11
, 5F110BB12
, 5F110BB20
, 5F110CC10
, 5F110NN27
引用特許:
前のページに戻る