特許
J-GLOBAL ID:200903017480186511

SOI高耐圧電力デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-323398
公開番号(公開出願番号):特開2000-150501
出願日: 1998年11月13日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 無機系層間絶縁膜材料では達成できない絶縁耐圧を確保する。【解決手段】 SOI高耐圧電力デバイスの層間絶縁膜に、シリコーンラダー系樹脂膜を用いて、多層配線構造の耐圧性を確保する。
請求項(抜粋):
層間絶縁膜に、シリコーンラダー系樹脂膜を用いて、多層配線構造の耐圧性を確保したことを特徴とするSOI高耐圧電力デバイス。
IPC (4件):
H01L 21/312 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786
FI (4件):
H01L 21/312 D ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 29/78 619 A
Fターム (62件):
4J002CH052 ,  4J002CP031 ,  4J002EA049 ,  4J002EA069 ,  4J002ED039 ,  4J002EE019 ,  4J002EE038 ,  4J002EE048 ,  4J002EE059 ,  4J002EJ029 ,  4J002EL099 ,  4J002EN029 ,  4J002EN079 ,  4J002EN099 ,  4J002EN109 ,  4J002EN119 ,  4J002EQ017 ,  4J002EQ037 ,  4J002ES009 ,  4J002EU029 ,  4J002EU199 ,  4J002EV287 ,  4J002EV307 ,  4J002EV308 ,  4J002EV317 ,  4J002EV347 ,  4J002EW148 ,  4J002EX016 ,  4J002EX036 ,  4J002EX066 ,  4J002EX076 ,  4J002EX086 ,  4J002FD147 ,  4J002GQ00 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ84 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033VV00 ,  5F033WW00 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02 ,  5F058AA10 ,  5F058AB04 ,  5F058AC03 ,  5F058AC07 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH02 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110BB20 ,  5F110CC10 ,  5F110NN27
引用特許:
審査官引用 (10件)
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