特許
J-GLOBAL ID：200903041057314218

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
堀口 文男

堀口 文男 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-037140
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246567
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 1セルに多ビットを記憶させ、セル面積も小さくする。【解決手段】 メモリセルは、TMR素子とMOSトランジスタから構成される。MOSトランジスタのソース拡散層13は、ソース線15に接続され、ドレイン拡散層16は、ローカルインターコネクト配線22を経由して、TMR素子に接続される。TMR素子は、ローカルインターコネクト配線22とビット線23の間に挟まれている。TMR素子は、縦積みされた2つのTMR層TMR1,TMR2から構成される。各TMR層は、2つの状態(スピンの向きが平行又は反平行)を持つことができるため、TMR素子には、4値データを記憶できる。TMR素子の直下には、電流磁界を発生させる電流駆動線24が配置される。
請求項（抜粋）：
データを記憶するTMR素子と、前記TMR素子に磁界を与えるための第1及び第2電流駆動線とを具備し、前記TMR素子は、積み重ねられた複数のTMR層から構成され、各TMR層は、2つの磁性層と、前記2つの磁性層の間に挟まれた絶縁層とを含んでいることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083LA12 ,  5F083ZA21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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