特許
J-GLOBAL ID：200903074047073064
半導体加速度センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊谷 公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-279995
公開番号（公開出願番号）：特開平10-104263
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 シール構造で、位相遅れの少ない半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 p型シリコン基板17上に形成されたn型エピタキシャル層9からなり、シリコン基板17を選択的にエッチングして、肉薄の梁2により重り部3を両側から周囲のフレーム4に懸架、支持する梁構造体を作る。梁2の両側には梁2の応力を感知する4つのp型ピエゾ抵抗6が拡散形成されている。梁構造体のフレームの上下両面には、台座1とキャップ5が接合されている。台座1とキャップ5はそれぞれ重り部23と対向する窪みを有して、窪みの深さdは重り部3が加速度に応じて上下に変位時に、エア・ダンピングを起こさないように設定されている。これにより、重り部はエア・ダンピングを受けずに加速度信号に応答でき、ピエゾ抵抗がほぼ時間遅れなしに加速度信号を感知し、検出される信号に、位相遅れに起因する出力誤差が大幅に低減される効果が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を選択的にエッチングして形成され、肉薄の梁で肉厚の重り部を周囲の肉厚のフレーム部に懸架、支持する梁構造体と、前記梁上に形成され、該梁上の応力を検出するためのピエゾ抵抗と、前記重り部を包含する領域に対応した窪み部を有する台座と、前記重り部を包含する領域に対応した窪み部を有するキャップとを備え、前記台座と前記キャップが窪みを対向させ前記半導体基板を挟むように前記フレーム部に接合されて構成される半導体加速度センサにおいて、前記重り部と前記窪みの対向面積S、梁のばね常数k、台座とキャップによりシールされた気体の粘度μに対して、前記重り部と前記窪みの間に形成されるエア・ギャップの長さdが次式を満足するように前記窪みの深さが設定されていることを特徴とする半導体加速度センサ。【数1】
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 A
