電子線ビーム描画方法および電子線ビーム描画用マスク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284512
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110700
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】近接効果補正により微細パターンを精度良く描画できるとともに、生産性を向上させることが可能な電子線ビーム描画方法および電子線ビーム描画用マスクの提供。【解決手段】描画される設計パターンの面積密度分布に応じて、設計パターンを分割し、この分割された分割領域ごとにパターン形成された電子線ビーム描画用マスクを用いて、分割領域ごとに、異なる照射量の前記電子線ビームを照射して近接効果を補正する方法、および、マスクを、描画される設計パターンの面積密度分布に応じて、設計パターンを分割し、この分割された分割領域ごとにパターン形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

電子線ビーム部分一括投影露光装置を用いた電子線ビーム描画方法において、前記電子線ビームを照射する際に、描画される設計パターンの面積密度分布に応じて、当該設計パターンを分割し、この分割された分割領域ごとにパターン形成された電子線ビーム描画用マスクを用いて、前記分割領域ごとに、マスクステージおよびウェハステージのスキャン速度を調整することにより、異なる照射量の前記電子線ビームを照射する工程を含むことを特徴とする電子線ビーム描画方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , G03F 7/20 504

FI (5件)：

G03F 1/16 B , G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 S , H01L 21/30 541 J , H01L 21/30 541 M

Fターム (14件)：

2H095BA08 , 2H095BB02 , 2H095BB32 , 2H097AA03 , 2H097CA16 , 2H097GB01 , 2H097LA10 , 5F056AA06 , 5F056CA05 , 5F056CB03 , 5F056CB23 , 5F056CC12 , 5F056CC13 , 5F056FA08

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平1-241122
電子線露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-131539 出願人：日本電気株式会社
特開昭54-051480

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