特許
J-GLOBAL ID：200903074102031252

インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法

発明者：
木村 明隆

木村 明隆 について

, 
笹岡 千秋

笹岡 千秋 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241417
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077783
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長によりインジウムを含む半導体層を安定に形成する、例えば良好な活性層を備えた窒化物レーザを製造できる、インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 本方法では、少なくともInを含む第1の窒化物半導体層を形成し、次いで第2の別の窒化物半導体層を形成しながら基板を昇温し、次にInを含まない第3の窒化物半導体層を形成する。これにより、従来のように、第1の窒化物半導体層の昇温中にInやGaが蒸発し活性層の上部の量子井戸層や障壁層が破壊されるという問題が生じない。また、従来のように低温で成長した結晶性の悪い第3の窒化物半導体層が活性層に接して存在するという問題も生じない。
請求項（抜粋）：
少なくともInを含む第1の窒化物半導体層を形成する第1の工程と、第2の別の窒化物半導体層を形成しながら基板を昇温する第2の工程と、Inを含まない第3の窒化物半導体層を形成する第3の工程とを少なくとも備え、第1から第3の工程の順序で行うことを特徴とするインジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法。
IPC (3件)：
H01S 5/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (35件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EK26 ,  5F045EK27 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (5件)
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