特許
J-GLOBAL ID：200903074167403394

ドーピング装置

発明者：
肥塚 純一

肥塚 純一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133561
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329677
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 レジストをマスクとしてイオン注入を行うと、基板外周部のレジストが剥離されにくくなり、アッシングに要する時間が増大する。【解決手段】 本発明のドーピング装置は、基板の外周部にイオンが注入されないように、金属又は石英などの絶縁材で形成される遮蔽板を設けることに特徴を有している。遮蔽板は基板の外周部において、特にレジストの膜厚が厚くなるところを覆うように配置する。イオンドーピング装置において、電界で加速されるイオンは、特別な場合を省き配置される基板表面に対し、僅かなゆらぎがあるもののほぼ垂直な角度で入射する。従って、遮蔽板を配置することによって、その陰になる基板外周部にはイオンが直接入射しない。
請求項（抜粋）：
ドーピング用の元素をイオン化して半導体に注入するドーピング装置において、半導体基板の外周部を、イオンの照射から遮る遮蔽板が設けられていることを特徴とするドーピング装置。
IPC (5件)：
H01L 21/265 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G03F 7/40 521
FI (4件)：
H01J 37/317 Z ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 616 L
Fターム (34件)：
2H096AA25 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5C034CC07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ30
引用特許：
審査官引用 (15件)
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