特許
J-GLOBAL ID：200903057497759959

半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置

発明者：
遠藤 秀樹

遠藤 秀樹 について

, 
金光 裕一

金光 裕一 について

, 
猪鼻 康雄

猪鼻 康雄 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (3件)： 和田 憲治 ,  小松 高 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-101128
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286240
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】低膨張係数と高熱伝導率を有し、Pbフリーはんだを用いて半導体装置に接合した場合であっても、接合によるそりの少ない放熱板などの半導体装置部品を提供する。【解決手段】銅又は銅基合金からなる板状体に1〜15μmの厚さのSnメッキを施し、次いで180〜240°Cで2時間以上熱処理することにより、銅又は銅基合金の外周面にCu-Sn系金属間化合物の層を形成させた低膨張係数と高熱伝導率を有する放熱板などの半導体装置部品を製造し、Pbフリーはんだを用いて半導体装置の回路基板などに接合した場合であっても、そりの少ない高信頼性のパワー半導体モジュールなどの半導体装置を得る。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面に金属間化合物の層が形成されてなる、半導体装置への接合用の半導体装置部品。
IPC (2件)：
H01L23/373 ,  H01L23/36
FI (2件)：
H01L23/36 M ,  H01L23/36 Z
Fターム (4件)：
5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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