特許
J-GLOBAL ID:200903074293637740
硬質物質被覆ウエハ-及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川瀬 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-165914
公開番号(公開出願番号):特開平8-017693
出願日: 1994年06月24日
公開日(公表日): 1996年01月19日
要約:
【要約】【目的】 従来、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、c-BNのようにバルクの結晶を作りにくい材料に関して広い面積の基板が存在しなかった。これら硬質物質の大面積ウエハを提供することが本発明の目的である。【構成】 広い面積を有する既存のウエハの上に、硬質物質膜を膜側が凸になるように気相成長させる。膜側が凸である複合材料をホルダ-面が傾き得るようにした研磨装置によって研磨し、薄膜の全面を研磨する。これにより反りのある平滑な硬質物質の大面積のミラ-ウエハを得ることができる。
請求項(抜粋):
わずかな反りのある基板と、気相合成法により基板の少なくとも1面に被覆されたビッカ-ス硬度Hvが3000以上の硬質物質よりなる被膜とよりなり、板厚が0.1mm〜2.1mmであり、外径が1インチΦ以上であって、硬質物質被膜の面粗度が、Rmax500Å(50nm)以下であり、Raが200Å(20nm)以下である部分が50%以上存在し、かつ、基板が硬質物質被膜の側に凸に反っており、周辺部の中央部に対する高さΔHが、-150μm≦ΔH≦-2μmであるようにしたことを特徴とする硬質物質被覆ウエハ-。
IPC (4件):
H01L 21/02
, B24B 1/00
, C30B 25/16
, H01L 21/304 321
引用特許:
出願人引用 (12件)
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特開昭62-211925
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特開昭54-011693
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特開昭54-012587
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特開平2-139163
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集積化半導体センサの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-088187
出願人:日本電装株式会社
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表面弾性波素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-249746
出願人:住友電気工業株式会社
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特開平3-076119
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特開昭57-112029
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特開平3-098760
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半導体ウエハの研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-104630
出願人:三菱電線工業株式会社
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シリコンウエハ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-085182
出願人:日本電信電話株式会社
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半導体集積回路装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-238208
出願人:株式会社日立製作所
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