特許
J-GLOBAL ID：200903074323214599

窒化物系III-V族化合物半導体装置用電極構造の作製方法

発明者：
寺口 信明

寺口 信明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254700
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075910
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体装置において、接触抵抗が極めて低く、かつ、経時的変化の少ないオーミック接触を示す電極構造の作製方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板1の上面にAlNバッファ層2及びp型GaN層3が積層された窒化物半導体基板において、窒化物半導体基板を加熱し、p型GaN層3の表面に水素吸収金属を一度堆積後再び除去し、更に、p型GaN層3から水素を減圧排気処理の後、p型GaN層3の表面に水素吸収金属及び窒化物生成エネルギーを負とする金属を堆積したPd/Ti電極4が設けられる。
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体層を加熱する加熱工程と、該窒化物系III-V族化合物半導体層の表面に水素吸収金属を堆積する堆積工程と、堆積された水素吸収金属層を該窒化物系III-V族化合物半導体層から除去する除去工程と、次いで、該窒化物系III-V族化合物半導体層から水素を減圧排気処理する排気工程とを、少なくとも1回以上実施する前処理工程と、前処理された該窒化物系III-V族化合物半導体層の表面に水素吸収金属及び窒化物生成エネルギーを負とする金属を堆積する工程と、を包含する窒化物系III-V族化合物半導体装置用電極構造の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610
FI (5件)：
H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/203 S ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/042 610
Fターム (34件)：
4M104AA04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA21 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35 ,  5F103AA08 ,  5F103DD28 ,  5F103HH03 ,  5F103LL01 ,  5F103NN05 ,  5F103PP11 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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