特許
J-GLOBAL ID：200903074412952544
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小橋 信淳
, 小橋 立昌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374636
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207480
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】リッジ導波路6を有し、基板SUB1上に窒化物系III-V族化合物半導体の薄膜が積層されて成るレーザ発振部5と絶縁層7とオーミック電極層8とを有する第1の発光素子2と、リッジ導波路10を有し、III-V族化合物半導体の薄膜が積層されて成るレーザ発振部9と絶縁層11とオーミック電極層12とを有する第2の発光素子3とを備え、オーミック電極層8,12間に介在する融着金属層4によって、レーザ発振部5とレーザ発振部9を一体に接着させることで、レーザ発振部5,9間の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置1を実現する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置であって、
半導体基板上に積層形成され所定の専有面積を有する第1のレーザ発振部と、
前記第1のレーザ発振部より小さな専有面積を有する第2のレーザ発振部とを備え、
前記半導体基板とは反対側の前記第1のレーザ発振部の面と、前記第2のレーザ発振部の発光部から近い側の面が導電性を有する接着層により接着されており、
前記第2のレーザ発振部はV族元素として砒素(As)、リン(P)、アンチモン(Sb)のいずれかを含むIII-V族化合物半導体あるいはII-VI族化合物半導体を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S5/22
, H01S5/323
, H01S5/327
H01S5/22 610
, H01S5/323
, H01S5/327
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073AB06
, 5F073BA05
, 5F073CA07
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073CB19
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA25
, 5F073DA32
, 5F073DA34
, 5F073EA04
, 5F073EA29
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA27
