特許
J-GLOBAL ID：200903074765083337

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者：
渡辺 弘紀

渡辺 弘紀 について

, 
奥野 英一

奥野 英一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-340093
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164525
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。【解決手段】 n+ 型ソース領域4の形成をイオン注入によって形成する際に、n+ 型半導体基板1の法線を軸としてn+ 型半導体基板1を回転させ、さらにイオン注入を斜めにして行う。これにより、まず、n+ 型半導体基板1の法線方向に対して傾斜させた状態でイオン注入が行われ、その後、法線を中心として、先に行われたイオン注入の傾斜の反対方向に傾斜させた状態でイオン注入が行われる。これにより、先のイオン注入における空孔位置と後のイオン注入における不純物の位置とを一致させ、先のイオン注入における不純物の位置と先のイオン注入における空孔の位置とを一致させることができる。これにより、不純物の拡散係数が小さくても、空孔において不純物の格子位置への置換を充分に行うことができ、不純物の活性化率を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体層(2)を有する基板(1)の該炭化珪素半導体層に不純物をイオン注入したのち、注入された前記不純物を熱処理によって活性化させることで、前記炭化珪素半導体層に不純物層(4、5、30)を形成してなる炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記基板の法線方向に対して傾斜させた状態で第1のイオン注入を行い、前記炭化珪素半導体層に前記不純物を注入させる工程と、前記法線を中心として、前記第1のイオン注入の傾斜の反対方向に傾斜させた状態で第2のイオン注入を行い、前記炭化珪素半導体層に前記不純物を注入させる工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 658 F
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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