浮遊トラップ型不揮発性メモリ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-188646
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068897
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】浮遊トラップ型メモリ素子も於いて、データ保持機能を強化するためトンネリング絶縁膜を厚くしても、消去動作が正確に行われるようにする。【解決手段】半導体基板10、基板上に形成されたゲート電極27、基板とゲート電極との間に順次に形成されたトンネリング絶縁膜20、電荷貯蔵層22、ブロッキング絶縁膜、ゲート電極の両側の基板に形成された不純物ドーピング層を含む。ブロッキング絶縁膜の誘電率がトンネリング絶縁膜の誘電率に比べて大きい高誘電膜を少なくとも一層含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板と前記ゲート電極との間に順次に積層されたトンネリング絶縁膜、電荷貯蔵層、ブロッキング絶縁膜と、前記ゲート電極の両側の前記基板に形成された不純物ドーピング層とを含み、前記ブロッキング絶縁膜は誘電率が前記トンネリング絶縁膜の誘電率に比べて高い高誘電膜を少なくとも一層含むことを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (24件)：

5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083EP76 , 5F083ER03 , 5F083ER11 , 5F083ER14 , 5F083GA01 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083GA24 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BB02 , 5F101BC02 , 5F101BD34

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-289831 出願人：ローム株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-357917 出願人：ソニー株式会社
ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065742 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

全件表示

前のページに戻る