特許
J-GLOBAL ID：200903074935273683

半導体装置

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について

, 
大音 光市

大音 光市 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-239578
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059976
出願日： 2004年08月19日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 半導体装置中のクラックの伝播を抑制し、他の領域に影響を与えないようにする。【解決手段】 シリコン基板101上に設けられたSiCN膜105およびSiOC膜107を貫通する凹部の側面を覆う界面補強膜115を設ける。界面補強膜115はSiOC膜113と連続一体に形成され、エアギャップ117を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた第一の絶縁膜と、 前記第一の絶縁膜上に設けられた第二の絶縁膜と、 前記第一の絶縁膜および前記第二の絶縁膜を貫通する凹部と、 前記凹部に埋設され、前記第一の絶縁膜の側面から前記第二の絶縁膜の側面にわたって設けられた界面補強膜と、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82
FI (3件)：
H01L21/90 J ,  H01L27/04 H ,  H01L21/82 F
Fターム (51件)：
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS13 ,  5F033TT00 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT06 ,  5F033VV11 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX28 ,  5F038BH09 ,  5F038BH11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F064FF27 ,  5F064FF33 ,  5F064FF42 ,  5F064GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-109960   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103847   出願人：ヤマハ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-011912   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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