特許
J-GLOBAL ID:200903074962528510
接合装置および方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
伴 俊光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-276986
公開番号(公開出願番号):特開2004-119430
出願日: 2002年09月24日
公開日(公表日): 2004年04月15日
要約:
【課題】特定の手法により被接合物の金属接合部を洗浄するとともに、洗浄後の接合を大気中で行えるようにし、とくに接合工程の簡素化、装置全体の簡素化、コストダウンをはかる。【解決手段】基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する装置であって、減圧下で前記金属接合部の表面にプラズマを照射する洗浄手段と、該手段から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段とを有することを特徴とする接合装置、および接合方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する装置であって、減圧下で前記金属接合部の表面にプラズマを照射する洗浄手段と、該手段から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段とを有することを特徴とする接合装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/60 311Q
, B23K20/00 350
Fターム (16件):
4E067AA01
, 4E067BB01
, 4E067BB02
, 4E067DA05
, 4E067DB00
, 4E067DC03
, 4E067DC06
, 4E067EA05
, 5F044KK12
, 5F044KK18
, 5F044KK19
, 5F044LL15
, 5F044PP15
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
, 5F044RR19
引用特許:
審査官引用 (8件)
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-393043
出願人:株式会社日立製作所
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特開平3-241755
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常温接合装置及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-233259
出願人:松下電器産業株式会社
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引用文献:
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