特許
J-GLOBAL ID:200903074985020603

電解処理装置及びその電場状態制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 熊谷 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-131879
公開番号(公開出願番号):特開2002-004091
出願日: 2000年04月28日
公開日(公表日): 2002年01月09日
要約:
【要約】【課題】 積極的に被処理基板表面の電場状態を制御することで、目的とするめっき膜厚の面内分布が得られる電解処理装置及びその電場状態制御方法を提供すること。【解決手段】 陽極38と被処理基板W間にめっき液10を満たし、且つ陽極38と被処理基板W間にめっき液10の電気伝導率よりも低い電気伝導率の高抵抗構造体4を設置する。陽極38と被処理基板W間に電流を流した際に被処理基板W表面の外周近傍部分の電流密度を低くするために、高抵抗構造体4の外周にバンド状の絶縁性部材50を取りつける。
請求項(抜粋):
陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ被処理基板と、該被処理基板に対峙させた他方の電極との間に満たした電解液の少なくとも一部に、該電解液の電気伝導率より小さい電気伝導率の高抵抗構造体を設け、該高抵抗構造体の外形状、内部構造、又は電気伝導率の異なる部材の装着の内の少なくとも一つの調整により、被処理基板表面の電場を制御することを特徴とする電解処理装置の電場状態制御方法。
IPC (4件):
C25D 17/00 ,  C25D 17/10 ,  C25F 7/00 ,  H01L 21/288
FI (4件):
C25D 17/00 D ,  C25D 17/10 A ,  C25F 7/00 L ,  H01L 21/288 E
Fターム (1件):
4M104DD52
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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