特許
J-GLOBAL ID：200903075001015651
電界放出型電子源
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129122
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323011
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 簡便なプロセスによりサブミクロン以下のゲート電極開口径が得られ、高性能の電界放出型電子源をローコストで提供すること。【解決手段】 絶縁層を挟んで対向するカソード電極2とゲート電極6の間に電圧を印加してエミッタ5から電子を放出させる電界放出型電子源において、絶縁層として陽極酸化法により厚さ方向に向かって延びる微細孔4が多数形成された多孔質絶縁層3を用い、微細孔4内部にエミッタ5を形成させたもの。
請求項（抜粋）：
絶縁層を挟んで対抗するカソード電極とゲート電極の間に電圧を印加し、エミッタから電子を放出させる方式の電界放出型電子源において、前記絶縁層として、陽極酸化処理により厚さ方向に向かって延びる微細孔が多数形成された多孔質絶縁層を用い、前記微細孔内部に前記エミッタが形成されていることを特徴とする電界放出型電子源。
引用特許：
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