特許
J-GLOBAL ID:200903075098124930
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-281708
公開番号(公開出願番号):特開2001-102197
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 小型に形成することが可能になり、プラズマ処理を安定して均一に行なうことができると共に厚物の被処理物でもプラズマ処理が可能になるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 絶縁体4を介して互いに対向して配置される少なくとも一対の電極2,3をチャンバー1内に配設すると共に、電極2,3間にプラズマ生成用ガスを供給し、電極2,3の間に電界を負荷して大気圧下でグロー放電を発生させると共にこのグロー放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成させ、このプラズマを被処理物5に作用させて表面処理を行なうようにしたプラズマ処理装置に関する。被処理物5を搬送する搬送手段6をチャンバー1内において上記の電極2,3よりもプラズマ生成用ガスの流れの下流側に配置して設ける。
請求項(抜粋):
互いに対向して配置される少なくとも一対の電極をチャンバー内に配設すると共に、電極間にプラズマ生成用ガスを供給し、対をなす電極間に電界を負荷して大気圧下でグロー放電を発生させると共にこのグロー放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成させ、このプラズマを被処理物に作用させて表面処理を行なうようにしたプラズマ処理装置において、被処理物を搬送する搬送手段をチャンバー内において上記の対をなす電極よりもプラズマ生成用ガスの流れの下流側に配置して設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H05H 1/24
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (4件):
H05H 1/24
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
Fターム (28件):
4K057DA01
, 4K057DB20
, 4K057DD01
, 4K057DE14
, 4K057DM02
, 4K057DM09
, 4K057DM13
, 4K057DM36
, 4K057DM37
, 4K057DN01
, 5F004AA14
, 5F004BA20
, 5F004BC06
, 5F004BD01
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA21
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F045DP21
, 5F045DQ10
, 5F045EB08
, 5F045EC01
, 5F045EC05
, 5F045EH04
, 5F045EN01
引用特許:
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