特許
J-GLOBAL ID：200903075151668483

半導体式ガス検知素子

発明者：
尾浦 憲治郎

尾浦 憲治郎 について

, 
片山 光浩

片山 光浩 について

, 
本多 信一

本多 信一 について

, 
伊藤 達也

伊藤 達也 について

, 
鈴木 健吾

鈴木 健吾 について


出願人/特許権者：
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について

, 
新コスモス電機株式会社

新コスモス電機株式会社 について


代理人 (3件)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也 ,  太田 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-354249
公開番号（公開出願番号）：特開2006-162431
出願日： 2004年12月07日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 ppbレベルの低濃度のガスであっても検知することができる検出感度の高い半導体式ガス検知素子を提供する。【解決手段】 半導体式ガス検知素子は、絶縁基板1上に設けた検出電極2、3と、検出電極2、3に接触するカーボンナノチューブを主成分とする感応層4とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に設けた検出電極と、当該検出電極に接触するカーボンナノチューブを主成分とする感応層とを備える半導体式ガス検知素子。
IPC (1件)：
G01N 27/12
FI (1件)：
G01N27/12 C
Fターム (8件)：
2G046AA01 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046FB00 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM