特許
J-GLOBAL ID：200903075157827095
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-249559
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071953
出願日： 2006年09月14日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】半導体装置の薄型化を実現し、さらにその製造歩留まりの低下を抑制する。【解決手段】半導体装置100は、パッケージ基板101、パッケージ基板101のチップ搭載面にフリップ接続された第1半導体チップ103、ならびに第1半導体チップ103の搭載領域を含むパッケージ基板101のチップ搭載面の実質的に全面を被覆するアンダーフィル樹脂105および外周層107を含む。第1半導体チップ103のパッケージ基板101との対向面の裏面は、外周層107に被覆されていない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1配線基板と、
前記第1配線基板の素子搭載面にフリップ接続された第1半導体素子と、
前記第1半導体素子の搭載領域を含む前記第1配線基板の前記素子搭載面の実質的に全面を被覆する樹脂層と、
を含み、
前記第1半導体素子の前記第1配線基板との対向面の裏面が、前記樹脂層に被覆されていない、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
H01L23/12 501B
, H01L25/14 Z
