特許
J-GLOBAL ID：200903075334572515

力学量センサおよびその製造方法

発明者：
中西 努

中西 努 について

, 
小山 泰一

小山 泰一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-325188
公開番号（公開出願番号）：特開2008-139136
出願日： 2006年12月01日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】本発明は、トリミング用の抵抗を追加することなく電気的出力の調整を行うことができる力学量センサの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明の力学量センサの製造方法は、固定部1と、この固定部1に接続された弾性変形可能な第1の片持ち梁部2と、この第1の片持ち梁部2の先端に形成された作用部である第1のおもり部4と、前記第1の片持ち梁部2の上面に形成された第1のピエゾ抵抗素子6〜第2のピエゾ抵抗素子7と、この第1のピエゾ抵抗素子6〜第2のピエゾ抵抗素子7と電気的に接続された一対の接続電極16とを形成した後、前記第1のピエゾ抵抗素子6〜第2のピエゾ抵抗素子7をトリミングして長方形の第1のピエゾ抵抗素子6〜第2のピエゾ抵抗素子7を形成する工程を備えたものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
固定部と、この固定部に接続された弾性変形可能な梁部と、この梁部の先端に形成された作用部と、前記梁部の上面に形成されたピエゾ抵抗素子と、このピエゾ抵抗素子と電気的に接続された一対の接続電極とを形成した後に、前記ピエゾ抵抗素子をトリミングして長方形のピエゾ抵抗素子を形成する工程を備えた力学量センサの製造方法。
IPC (4件)：
G01P 15/12 ,  G01P 21/00 ,  G01L 1/18 ,  H01L 29/84
FI (4件)：
G01P15/12 D ,  G01P21/00 ,  G01L1/18 A ,  H01L29/84 A
Fターム (12件)：
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA26 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA17 ,  4M112EA03 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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