特許
J-GLOBAL ID：200903075381000155

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
川俣 郁子

川俣 郁子 について

, 
荒井 康行

荒井 康行 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-072658
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270774
出願日： 2008年03月20日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】大面積基板に、高性能な半導体素子、及び集積回路を高スループットで生産性よく作製することを目的とする。【解決手段】単結晶半導体基板(ボンドウエハー)より単結晶半導体膜を転置する際、単結晶半導体基板を選択的にエッチング(溝加工ともいう)し、作製する半導体素子の大きさに複数に分割された複数の単結晶半導体層を、異種基板(ベース基板)に転置する。従って、ベース基板には、複数の島状の単結晶半導体層(SOI層)を形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板の表面から一定の深さに形成された水素及び/又は希ガス元素を含む分離層と、前記単結晶半導体基板の前記分離層よりも深く形成された縦溝により複数に分割された単結晶半導体層を形成し、 前記単結晶半導体基板の前記単結晶半導体層が形成された面と、絶縁表面を有する基板の絶縁表面とを内向きに対向させて、前記絶縁表面に前記単結晶半導体層を接合させ、 加熱処理により前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体層とを分離させ、 前記絶縁表面を有する基板の前記絶縁表面に複数の前記単結晶半導体層を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (12件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/764 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (8件)：
H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L27/12 F ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 A ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (170件)：
5B035AA04 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5F032AA06 ,  5F032AA91 ,  5F032AC02 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA21 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA41 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP32 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP44 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP75 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER09 ,  5F083ER16 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083ER22 ,  5F083ER23 ,  5F083ER30 ,  5F083GA22 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083KA20 ,  5F083LA02 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA01 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BA46 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BG10 ,  5F101BH02 ,  5F101BH09 ,  5F101BH13 ,  5F101BH21 ,  5F101BH23 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB04 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE33 ,  5F110EE42 ,  5F110EE50 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL24 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-174482   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (5件)
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