特許
J-GLOBAL ID：200903036512173527
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-374889
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210899
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】透明絶縁性基板とSOI層と熱歪、剥離、ひび割れ等の発生を簡易な工程で防止でき、SOI層の膜厚均一性の高いSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンウェーハ中にイオン注入してイオン注入層を形成し、該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は透明絶縁性基板の表面をプラズマ及び/又はオゾンで処理し、単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と透明絶縁性基板の表面とを前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合し、イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離して透明絶縁性基板上にSOI層を形成して得られたSOIウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でSOI層表面を平坦化する熱処理を施す。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成してSOIウェーハを製造する方法において、少なくとも、
単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び/又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ及び/又はオゾンで処理する工程
前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にSOI層を形成し、SOIウェーハを得る工程、
前記得られたSOIウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でSOI層表面を平坦化する熱処理を施す工程、
を行なうことを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/762
H01L27/12 B
, H01L21/76 D
5F032AA91
, 5F032CA09
, 5F032CA17
, 5F032DA21
, 5F032DA24
, 5F032DA33
, 5F032DA41
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F032DA78
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
