特許

J-GLOBAL ID：200903075421488148

シリコン系薄膜光起電力素子及びその製造方法

発明者： 森田 章二 ,  近藤 勝彦 ,  堀江 哲弘 ,  山口 賢剛 ,  竹内 良昭 ,  西宮 立享
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203889
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026348
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 大面積基板への均一製膜が可能で、かつ優れた光電変換特性を有するシリコン系薄膜光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が10MHz以上300MHz以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマCVD法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有する。

請求項（抜粋）：

基板とラダー状の電極との間にシリコンを含む原料ガスおよび水素ガスを供給するとともに周波数が10MHz以上300MHz以下の高周波を印加することにより生成されるプラズマを利用するプラズマCVD法を用いて基板上に製膜されたシリコン系薄膜を光電変換層として有することを特徴とする光起電力素子。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/10 A

Fターム (56件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA16 ,  4K030BA21 ,  4K030BA29 ,  4K030BA45 ,  4K030BA47 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030JA12 ,  4K030JA13 ,  4K030JA18 ,  4K030JA20 ,  4K030KA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045EH12 ,  5F045EK27 ,  5F049MA04 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NA20 ,  5F049PA03 ,  5F049PA18 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA16 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24 ,  5F051CA34 ,  5F051DA04

引用特許：

審査官引用 (8件)

• プラズマ化学蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-119142   出願人：三菱重工業株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-225089   出願人：三菱重工業株式会社
• 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-339702   出願人：三菱重工業株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-308789   出願人：三菱重工業株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-075839   出願人：三洋電機株式会社
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-286457   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 微結晶膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-294800   出願人：株式会社富士電機総合研究所, 川崎重工業株式会社
• シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-349714   出願人：鐘淵化学工業株式会社