特許
J-GLOBAL ID：200903075492941820
不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074256
公開番号（公開出願番号）：特開2005-267676
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】不揮発性記憶装置の初期化に必要な時間を短縮する。【解決手段】多値メモリセルによって構成される不揮発性メモリにおいて、物理ブロックを構成する各ページは、4つの領域に区分される。第1の領域(512B)には任意のデータが書き込まれ、第2の領域(10B)には第1の領域に書き込まれた任意のデータの誤りを訂正するための誤り訂正符号が書き込まれ、第3の領域(3B)には第1の領域に書き込まれた任意のデータに関係する管理情報が書き込まれ、第4の領域(3B)には第3の領域に書き込まれた管理情報を訂正するための誤り訂正符号が書き込まれる。第3,第4の領域は、2値メモリとして使用することにより、データ保持能力を向上させて、訂正能力に低い誤り訂正回路でも十分なデータ保持信頼性が得られるようにする。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリを備える不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは複数の物理ブロックからなり、
前記物理ブロックは複数の物理ページから構成され独立してデータの消去を行うことができ、
前記物理ページは独立してデータの書き込みを行うことができ、少なくとも第1から第4の4つの領域に区分され、
前記第1の領域には任意のデータが書き込まれ、前記第2の領域には前記第1の領域に書き込まれた前記任意のデータの誤りを訂正するための誤り訂正符号が書き込まれ、前記第3の領域には前記第1の領域に書き込まれた前記任意のデータに関係する管理情報が書き込まれ、前記第4の領域には前記第3の領域に書き込まれた前記管理情報を訂正するための誤り訂正符号が書き込まれることを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
G11C16/02
, G06F12/16
, G11C16/06
, G11C29/00
G11C17/00 601E
, G06F12/16 320F
, G11C29/00 631Z
, G11C17/00 639C
, G11C17/00 641
, G11C17/00 614
5B018GA02
, 5B018HA14
, 5B018MA24
, 5B018NA06
, 5B018QA11
, 5B125BA01
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125EK01
, 5B125FA04
, 5L106AA10
, 5L106BB12
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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