特許
J-GLOBAL ID：200903075732864712
ラジカル反応を利用した局所的加工方法、ラジカル反応を利用した局所的加工装置及びラジカル反応を利用した局所的加工方法によって作製される機能素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339137
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176808
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 プラズマの局在化を更に図ることができ、結果的に、より一層精細な加工が可能となるラジカル反応を利用した局所的加工方法を提供する。【解決手段】 反応ガスと不活性ガスとからなるガス雰囲気が形成される反応容器5内において、被加工物2に加工電極1を対向配置し、加工電極1を平板状の放熱部1bと、三角柱形状の電極部1aとで構成する。加工電極1の上方に水平軸回りに回転する回転体8を設け、その回転によって加工電極を強制的に放熱させることによって、局在化されたプラズマがその付近に形成される先鋭状の先端部1a’が熱的に損傷されるのを防止する。
請求項（抜粋）：
被加工物を、該被加工物の材質に応じて決定される反応ガスと不活性ガスとからなるガス雰囲気中に配設し、該被加工物に対向して配置した加工電極に高周波電圧を印加し、該雰囲気ガスに基づくプラズマを発生させ、該プラズマ中の該反応ガスに基づくラジカルを該被加工物表面の原子と化学反応させ、該化学反応によって生成した反応生成物を気化させて、該被加工物の表面を加工するラジカル反応を利用した局所的加工方法であって、該加工電極は先端部が先鋭なる形状をなし、該先鋭なる先端部で発生した熱を強制的に放熱させることによって、該加工電極の先鋭なる先端部のごく近傍にのみプラズマを局在化させて、該被加工物の表面を局所的に加工する局所的加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 31/04
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 A
, H01L 31/04 A
