特許
J-GLOBAL ID:200903075807253870
半導体装置の冷却構造
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-353412
公開番号(公開出願番号):特開2005-123233
出願日: 2003年10月14日
公開日(公表日): 2005年05月12日
要約:
【課題】 半導体チップの両面に設けられた一対のヒートシンクとを備えるとともに装置のほぼ全体を樹脂でモールドした半導体装置が、絶縁材を介して冷却器と接触している半導体装置の冷却構造において、半導体装置と冷却器との相対的な位置ずれを防止する。【解決手段】 半導体チップ10とその両面に一対のヒートシンク20、30を接合してなる装置であって当該装置のほぼ全体を樹脂60でモールドした半導体装置100が、絶縁材110を介して冷却器120と接触している半導体装置の冷却構造において、半導体装置100の上下両面には、半導体装置100と冷却器120との相対的な位置関係を規制するための壁状のガイド部150が設けられている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発熱素子(10)と、この発熱素子(10)の両面から放熱するための一対の放熱板(20、30)とを備える装置であって当該装置のほぼ全体を樹脂(60)でモールドした半導体装置(100)が、絶縁材(110)を介して冷却器(120)と接触している半導体装置の冷却構造において、
前記半導体装置(100)の外周には、前記半導体装置(100)と前記冷却器(120)との相対的な位置関係を規制するためのガイド部(150)が設けられていることを特徴とする半導体装置の冷却構造。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/40 C
, H01L23/36 A
Fターム (7件):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BC17
, 5F036BC22
, 5F036BD21
, 5F036BE01
引用特許:
出願人引用 (8件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-196140
出願人:株式会社デンソー
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特開昭63-224347
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-241966
出願人:富士通株式会社
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