特許
J-GLOBAL ID：200903075892968522
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005832
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209205
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 温度サイクル信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子に接して絶縁樹脂層を有する半導体装置であって、絶縁樹脂層が、温度サイクル試験における内部応力値(σ)に対して、温度サイクル試験の冷却温度における破断応力(D)が3.0倍以上である絶縁樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。また、素子が、半導体ウェハからなるもであっても良く、片面のみに形成された半導体装置であっても良い。更には、半導体電極と外部接続用電極を導通する再配線回路、および、外部接続用電極を有する半導体装置である。
請求項（抜粋）：
半導体素子に接して絶縁樹脂層を有する半導体装置であって、絶縁樹脂層が、温度サイクル試験において式(1)により得られる内部応力値(σ)に対して、温度サイクル試験の冷却温度における破断応力(D)が3.0倍以上である絶縁樹脂からなることを特徴とする半導体装置。【数1】但し、σは内部応力、Eresin(T)は温度T°Cにおける樹脂の弾性率、αresin(T)は温度T°Cにおける樹脂の線膨張係数、αsi(T)は温度T°Cにおける半導体素子の線膨張係数、Tgは絶縁樹脂のガラス転移温度、T1は温度サイクル試験の冷却温度を示す。
IPC (2件)：
Fターム (5件)：
4M109CA10
, 4M109EA02
, 4M109EA15
, 4M109EB03
, 4M109EC03
